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ICT测试原理(lǐ)
发布时间: 2021-12-21
ICT原理(lǐ)介绍:
一.隔离 ( Guarding )原理(lǐ)
隔离為(wèi)ICT量测很(hěn)重要的一种应用(yòng)技术,乃是将待测零件相连接的零件给予隔离,使待测零件的量测不受影响,如下图所示,应用(yòng)运算放大器设计之電(diàn)压随耦器,使输出電(diàn)压 ( VG )与其输入電(diàn)压 ( VA )相等,及运算放大器之两输入端间虚地 ( Virtual Ground )的原理(lǐ),使得与待测零件相连的零件之两端同電(diàn)位,而不会产生分(fēn)流来影响待测零件的量测,如同是已将将待测零件相连接的零件给予隔离。
经由隔离之实施后,流经R1的電(diàn)流几近零,不致影响R之量测。
由于VG=VA,因此I3=0
所以R1=V/I1
隔离 ( Guarding )基本原理(lǐ)图
定電(diàn)流测量法
如下图所示,為(wèi)被使用(yòng)测量大電(diàn)阻的测量法,乃是应用(yòng)欧姆定律 ( Ohm’s Law ):R = V / I,提供定電(diàn)流源至待测電(diàn)阻,再由其两端所量测之電(diàn)压值,来计算待测電(diàn)阻之阻值。
定電(diàn)流/電(diàn)压测量法
如下图所示,為(wèi)常被使用(yòng)之電(diàn)阻的测量法,乃是应用(yòng)反相放大器 ( Inverting Amplifier )原理(lǐ):Vo = -Vi * Rf / R,计算出待测電(diàn)阻Rdut= -Vi * Rf / Vi。
如上图所示应用(yòng)运算放大器 ( OPA )之反相放大原理(lǐ):Vo = -V * R / Xc,其中Xc =1/ ( 2pfC )乃電(diàn)容所产生的電(diàn)抗,f為(wèi)交流定電(diàn)压的频率,再以角加速度『w = 2pf』来代表,则可(kě)由公式:C = -Vo / ( V * w * R ),来计算出電(diàn)容之值
定電(diàn)流测量 ( MODE C )
当電(diàn)容值為(wèi)10uF以上时,计算机会自动设定DC電(diàn)容量测法。此法是用(yòng)DC定電(diàn)流来使待测電(diàn)容充電(diàn),然后由充電(diàn)的时间可(kě)算出電(diàn)容值
如上图所示由于在充電(diàn)電(diàn)压与其充電(diàn)时间成線(xiàn)性关系,故可(kě)由其斜率,来计算出待测電(diàn)容之值。
二极管采用(yòng)如下图所示之顺向電(diàn)压测量法,来辨别二极管的好坏,正常的硅 ( Silicon )二极管之顺向電(diàn)压约為(wèi)0.7V,而锗 ( Germanium )二极管之顺向電(diàn)压约為(wèi)0.3V。
晶體(tǐ)管的测量方法如下图从晶體(tǐ)管的基极 ( Base )送脉波電(diàn)压,由于晶體(tǐ)管工作于饱和状态 ( Saturation Status )时集极与射极之间所测量的電(diàn)压 ( Vce )会小(xiǎo)于0.2V以下,因此可(kě)藉之来辨别晶體(tǐ)管的好坏。
六.短/开路的测试原理(lǐ) ( Open/Short Test )
短/开路 ( Open/Short ) 的测试数据可(kě)由學(xué)习一个良品的電(diàn)路板而得。当學(xué)习时,计算机会测量任意两个测试点 ( Test point )之间的阻值,然后产生一个短路表 ( Short Pin Group Table ),學(xué)习时,任意两点间的阻值小(xiǎo)于20Ω(初使值)即被判定两点间為(wèi)短路,否则為(wèi)开路。
短/开路测试
短/开路测试是根据上述短路表的资料来做测试;先做短路测试 ( Short Test )再做断路测试 ( Open Test ),说明如下 :
开路测试是测试在同一短路群 ( Short Pin Group )里的每一测试点间 ( Test point )是否有(yǒu)断路现象,判别开路的基准阻值是80Ω(初使值);也就是说任意二点间的阻值如果大于80Ω(初使值),则被判定為(wèi)开路错误 ( Open Fail )。
短路测试是测试任意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间,是否有(yǒu)短路现象,判别短路的基准是5Ω(初使值);也就是说,如果任意两点间的阻值是小(xiǎo)于5Ω(初使值),则被判定為(wèi)短路错误 ( Short Fail )。
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